リポの安全運用回路

チン太

Galeさん>どもども、はじめまして。
　　　　　過放電防止付きFETの良い回路が無かったので、
　　　　　ちょっと載せてみました。
　　　　　結果はどうなる事やら(笑)

やまぎょ兄さん>ツェナー電圧を上げれば兄さんのご要望に添えるかと思うのですが、
　　　　　　　　ツェナーの特性はバラツキも多いので選別がいるかも知れないっすね。


シュゲ･コナーさん>どうもご無沙汰しております。
　　　　　　　　　昔の三端子レギュレータ回路まんまなのでコンデンサいれないと発振
　　　　　　　　　するかなと思ったのですが、電流小さい、FETのゲート容量、バッテリ
　　　　　　　　　で何とか動作しそうです。
　　　　　　　　　良くみるとPNPのエミッタ設置回路なのでツェナー電圧以下の
　　　　　　　　　ちょっと流れ始める所で既に動作してるんですよね。
　　　　　　　　　実は最初は5.6Vのツェナー入れて、あれ？動作電圧が合わないとか
　　　　　　　　　凡ミスやらかしてました(笑)

• 2014年5月27日
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シュゲ・コナー

お疲れ様です！ｗ
余談ですが、この回路の場合、PNPトランジスタと、FETはスイッチング(飽和/非飽和)領域で使用するので、三端子レギュレーターなどの回路の様に増幅領域で動作しない為、いわゆる、三端子レギュレーターに使用する高周波数特性のよいセラミックコンデンサなどは基本的には必要ありませんよ＾＾

逆に言えば、きちんとスイッチングするよう、PNPトランジスタには十分なベース電流を、FETには十分なゲート電圧をかけられるだけの抵抗値を選べば心配ありませんｗ
(例えば、2SA1015でしたら、VCE(sat)、VBE(sat)の測定条件である10mA以上目安。FETは使用するものにもよりますが、R(DS)の測定条件のVGS以上の電圧目安。)

お騒がせ致しました～
m(U_U)m

• 2014年5月28日
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シュゲ・コナー

追伸：
改めて2SA1015のデータシート眺めたら、コレクタ電流(IC)-コレクタエミッタ間電圧(VCE)の特性を見る限り、2mA以上のベース電流を流せば実用上問題ありませんねｗｗｗ

まあ、既にご十分に理解されていると思うので、上記のコメントはちと蛇足でしたかねｗｗｗ

すみません～
色々とご参考になれば幸いです！
m(U_U)m

失礼しましたｗ
m(U_U)m

• 2014年5月28日
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チン太

シュゲ･コナーさん>良く考えたらレギュレータとちがって正帰還かけてないんで、
　　　　　　　　　発振止め要らないですね♪
　　　　　　　　　この回路ベース電流数十uA位しか流れてないかもです。
　　　　　　　　　hfe200としてもコレクタ電流も10mA流れないかな(汗)
　　　　　　　　　もっとも39kで受けてるのでFETのゲートドライブには十分かなと。

• 2014年5月28日
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シュゲ・コナー

おはようございます！
レスありがとうございます！ｗ

ちなみに、重箱の隅をつつくような内容になってしまうので、コメントしようか迷い、恐縮なのですが、、、、、(汗
m(U_U)m


三端子レギュレターの内部回路にかかっているのは負帰還ですねｗ
それが位相がずれて正帰還になると最悪、発振しますｗ

また、2SA1015のhFEは公称値で80(typ)ですｗ
ご存知のとおり、トランジスタのhFEは、固体によりかなりばらつきがあるのでhFE＝200となると、GRランク指定品になりますねｗ

まぁ、FETのゲート-ソース間の抵抗は39kを使用されているので、実機上は公称値の最悪値であるhFE＝25～70でも問題ありませんがｗ
(もっと正確には、FETのスペックに依存しますけれどねｗ)

また、本文中の「PNPが電流を吐き出して」はPNPトランジスタなので正確には吸い込みですｗ
NPNだったら吐出しですけれどもｗｗｗ
(まぁ、言葉のあや、はそれぞれ電子・電気回路でも方言などあり表現の幅が広いので、これこそ、重箱の隅をつつく内容で、恐縮です。m(U_U)m)

一応、気になったのでコメントさせて頂きました。
m(U_U)m
もし不快な思いをされたら申し訳ありません。
重ね重ね恐縮です。
m(U_U)m

• 2014年5月28日
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